Главная » 2009 » Ноябрь » 5 » Samsung разрабатывает ультратонкую 30 нм флеш-память с емкостью 32 Гб
21:04
Samsung разрабатывает ультратонкую 30 нм флеш-память с емкостью 32 Гб
Южнокорейская компания Samsung объявила о разработке NAND памяти нового
поколения, которая в перспективе поможет значительно увеличить емкость
накопителей в мобильных устройствах. Новая флеш-память будет способна
вмещать 32 Гб данных в одном чипе, а толщина такого чипа составит всего
0,6 мм.
Подобный результат станет возможным благодаря применению инновационных
сверхтонких "бескорпусных” пакетов, разработанных специалистами
Samsung, которые при сохранении той же прочности имеют наполовину
меньшую толщину по сравнению с корпусами предыдущего поколения. Важную
роль играет и то, что при создании чипов NAND памяти используется 30 нм
производственный процесс.
Соединение указанных выше факторов должно
помочь в разработке NAND памяти, чьи чипы будут на 40 процентов тоньше
и легче существующих аналогов. А использование такой флеш-памяти в
смартфонах, медиаплеерах и других портативных устройствах позволит еще
больше уменьшить их толщину.
Сама Samsung пока не называет
сроков релиза новой флеш-памяти, также не уточняется и список ее
возможных потребителей. Однако одним из них вполне может стать компания
Apple, известная как крупнейший партер Samsung и часто одна из первых
использующая новейшие разработки в области NAND технологии.
Оф. сайт/Источник:
